قسمتی از متن.....
ترانزیستور اثر میدان، دستهای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط یک ميدان الكتريكي صورت میگیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، میتوان آنها را جزو ترانزیستورهای تکقطبی محسوب کرد
عملکرد ترانزیستور با ولتاژ گیت صفر
-دو لایه فلزی موازی گیت و بدنه صفحات یک خازن و لایه اکسید نیز عایق آن را تشکیل می دهد. -دو اتصال pn (اتصال سورس – بدنه و درین – بدنه) دو دیود پشت به پشت را تشکیل می دهد -پایه های سورس و درین بوسیله دو ناحیه تخلیه ایزوله شده و جریانی بین آن ها برقرار نیست.
ایجاد کانال به منظور برقراری جریان
-بارهای مثبت حاصل از اتصال گیت به ولتاژ مثبت به گیت اعمال می شود. -بارهای مثبت حفره ها را به سمت پائین بدنه (ناحیه p) می رانند و ناحیه تخلیه ای در منطقه زیر ناحیه گیت شکل می گیرد. -همزمان با افزایش ولتاژ گیت (رسیدن به ولتاژ آستانه) الکترون ها در سطح زیرلایه تجمع می کنند (ولتاژ مثبت گیت الکترون ها را از نواحی N سورس و درین جذب می کند) -دو ناحیه n باعث ایجاد کانالی به منظور برقراری جریان بین سورس و درین عمل می کنند.
تعداد اسلاید : 20 اسلاید
فرمت فایل: پاورپوینت ppt و قابل ویرایش
آماده برای : ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس
مبلغ واقعی 17,000 تومان 20% تخفیف مبلغ قابل پرداخت 13,600 تومان